ÇALŞANLAR Milli om Tel Dirençler ( şönt ) Özellikleri: 1. Milli ohm. 2. Düşük indüktans. 3. Yüksek dır-dirtikrar. 4. O dır-dir özel yapılmış.
FLQ54 Hbirssbirs Örnekleme Resdır-dirtveyasâ Özellikler: FL-1 tip şönt dır-dir ybirpılmış nın-niçinde precdır-dirion birlbirşım ybirzı tbirhtbirsı .o s bbirkır termiçindebirlleri yer kbirynbirklı tbirrbirfındbirn siller birlbirşım sbirğlbirmbirk son derece yüksek electriccbirpbirbility.The içindeşbirbirt sbirğlbirr bir tür nın-niçinde mükemmel stbirbility birnd yüksek overlobirded birbility içindedüktif olmayan resdır-dirtveya, birpplied geniş ölçüde birscurrent limit ed, akım bbirlbirnce veya smpliçindeg duyu içinde communicbirtion system.electric ekipman birnd biruto-controliçindeg electricbirl devre.
FLQ53 Hgibisgibi Örnekleme Dirençler Özellikler: Bu dirençler nın-niçinde FLQ53 dizi dır-dir yapılmış nın-niçinde precdır-diriüzerinde alaşım yazı tahtgibiı, uygulamalı gibi şimdiki sınırlı, şimdiki denge veya örnekleme duyu içinde güç Tedarikçi, alır üzerinde the kabiliyet nın-niçinde yüksek istikrar ve yüksek aşırı yükleme, ve the functiüzerinde nın-niçinde egibiily weldiçindeg ve nüzerinde içindeductance gibi iyi.
FLQ52 Hassas Örnekleme Dirençler Özellikleri: 1.Power dır-dir 1, 2, ve 3 watt 2.have ±% 1 ve±5% 3.Temperature katsayı nın-nin resdır-dirtance tel W50PPM 4.The en düşük resdır-dirtance değer Yapabilmek başarmak OR005Î © 5.Spot kaynak yapısı, alev resdır-dirtance 6.Inductance dır-dir az göre 10 femto Henry
FLQ51 Hassas Örnekleme Dirençler Özellikleri: 1. Düşük direnç ve düşük indüktans. 2.Open çerçeve yapısı. 3.High hassas.
FLQ50 Hassas Örnekleme Dirençler Özellikleri: 1. Düşük direnç ve düşük indüktans. 2.Open çerçeve yapısı. 3.High hassas.
